第四代內(nèi)存條和第三代內(nèi)存條性能上有什么區(qū)別呀?
第四代內(nèi)存條和第三代內(nèi)存條性能上有什么區(qū)別呀?
1、接口不同
2、頻率不同，在速度上，d4速度更快
但是，如果拿d3的2400頻率和d4的2400頻率比較，那沒區(qū)別。
內(nèi)存條是CPU可通過總線尋址，并進(jìn)行讀寫操作的電腦部件。
內(nèi)存條在個(gè)人電腦歷史上曾經(jīng)是主內(nèi)存的擴(kuò)展。
隨著電腦軟、硬件技術(shù)不斷更新的要求，內(nèi)存條已成為讀寫內(nèi)存的整體。我們通常所說電腦內(nèi)存（RAM）的大小，即是指內(nèi)存條的總?cè)萘俊?br/> 內(nèi)存條是電腦必不可少的組成部分，CPU可通過數(shù)據(jù)總線對內(nèi)存尋址。歷史上的電腦主板上有主內(nèi)存，內(nèi)存條是主內(nèi)存的擴(kuò)展。
以后的電腦主板上沒有主內(nèi)存，CPU完全依賴內(nèi)存條。所有外存上的內(nèi)容必須通過內(nèi)存才能發(fā)揮作用。
三代內(nèi)存條與四代內(nèi)存條究竟有何區(qū)別？
DDR4相比DDR3**的區(qū)別有百科：1）處理器：每次內(nèi)存升級換代時(shí)，必須支持的就是處理器。Haswell-E平臺的內(nèi)存同IVB-E/SNB-E一樣為四通道設(shè)計(jì)，DDR4內(nèi)存頻率原生支持2133MHz，這相較IVB-E的DDR3原生1866MHz，起始頻率有不小的提升。
Haswell-E作為新的旗艦提升**兩點(diǎn)一個(gè)是6核升級8核，另一點(diǎn)是對DDR4的支持。
上市初期整體成本相當(dāng)高，并且不會同時(shí)支持DDR3和DDR4內(nèi)存，所以增加了DDR4普及的門檻。2）頻率方面，DDR3內(nèi)存起始頻率為800，**頻率達(dá)到了2133。DDR4內(nèi)存起始頻率就達(dá)到了2133，量產(chǎn)產(chǎn)品**頻率達(dá)到了3000，從內(nèi)存頻率來看，DDR4相比DDR3提升很大。3） DDR4最重要的使命當(dāng)然是提高頻率和帶寬。
DDR4內(nèi)存的每個(gè)針腳都可以提供2Gbps(256MB/s)的帶寬，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超過70％。4）DDR4內(nèi)存容量提升明顯，可達(dá)128GB：上一代DDR3內(nèi)存，**單挑容量為64GB，實(shí)際能買到的基本是16GB/32GB，而新一代DDR4內(nèi)存，單條容量**可以達(dá)到128GB，媲美SSD了。5）DDR4在使用了3DS堆疊封裝技術(shù)后，單條內(nèi)存的容量**可以達(dá)到目前產(chǎn)品的8倍之多。
舉例來說，目前常見的大容量內(nèi)存單條容量為8GB，而DDR4則完全可以達(dá)到64GB，甚至128GB。而電壓方面，DDR4將會使用20nm以下的工藝來制造，電壓從DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移動版的SO-DIMMD DR4的電壓還會降得更低。
ddr3和ddr4的內(nèi)存條有什么區(qū)別？
DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格，和DDR3相比**區(qū)別有三點(diǎn)：\\x0d\\x0a1、16bit預(yù)取機(jī)制（DDR3為8bit），也就說同樣工作頻率下理論速度是DDR3的兩倍;\\x0d\\x0a2、更加可靠的傳輸規(guī)范，也就是數(shù)據(jù)可靠性提高;\\x0d\\x0a3、工作電壓降為1.2V，更節(jié)能，發(fā)熱量降低。\\x0d\\x0a對用戶而言，16bit預(yù)取機(jī)制是**的體現(xiàn)，可以提高速度。
但支持DDR4內(nèi)存的主板和CPU目前價(jià)格還高，而且在更新?lián)Q代的今天，升級其實(shí)也是愿望而已，就算目前買了DDR4，到時(shí)候可能會因?yàn)轭l率上的升級，導(dǎo)致目前購買的DDR4到時(shí)候成為雞肋。
比如當(dāng)時(shí)的DDR3 800用到目前的DDR3 1600上，你會如何取舍。\\x0d\\x0a個(gè)人覺得沒必要考慮升級這么多，目前DDR3與DDR4差價(jià)，足夠以后添置容量更大速度更快的內(nèi)存了。
內(nèi)存條3代和4代的區(qū)別？
DDR2時(shí)代單條內(nèi)存2GB，雙條4GB，對于辦公還是OK的
DDR3的機(jī)子單條8/16GB，這種機(jī)子可能與DDR4同等壽命，只有應(yīng)用這種內(nèi)存的平臺徹底淘汰掉，它才會走不動。
所以換代主要是內(nèi)存頻率的提升，速度的提升遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于容積帶來的體驗(yàn)，不過DDR4是DDR系列從SDRAM脫胎以來，變化**的一次。
在DRAM核心頻率不變的情況下，傳輸速度的提高是通過增加prefetch的位數(shù)來做到的。
例如同樣是100MHz的核心頻率，SDRAM一周期取一次，它和內(nèi)存控制器的速度是100M T/s（這里的T是傳輸?shù)囊馑迹?DDR上升沿下降沿各取一次，相當(dāng)于2次prefetch，Bus速度變成200;DDR2變成4n prefetch，Bus speed變成400;DDR3，照此辦理，8n帶來了800MT/S
4代以前的內(nèi)存條，低頻漏電率降低功耗降低，工藝簡單可大規(guī)模堆疊是換代的主要改動，這DDR外部總線的帶寬可以穩(wěn)定提升，而成本還沒增加，簡直兩全其美。
但是到了DDR4，這一套就行不通了。因?yàn)?N的prefetch?已經(jīng)到了性能瓶頸。只得從核心頻率上下手，不在徘徊于100-266HMz，而是直接從200起，直到400Mhz，因此核心頻率得到了應(yīng)有的提高，總線速度才得以提升。
內(nèi)存DDR4和DDR3的區(qū)別
有七個(gè)方面的區(qū)別;
1.外觀
DDR4模組上的卡槽與 DDR3 模組卡槽的位置不同。兩者的卡槽都位于插入側(cè)，但 DDR4 卡槽的位置稍有差異，以便防止將模組安裝到不兼容的主板或平臺中。
2.容量
相較于DDR3，DDR4理論上每根DIMM模塊能達(dá)到512GiB的容量，而DDR3每個(gè)DIMM模塊的理論**容量僅128GiB。
3.速度
DDR3的**速率為2133MT/s ，DDR4的數(shù)據(jù)傳輸率也從2133MT/s起跳，**速率在2013年的標(biāo)準(zhǔn)中暫定為4266MT/s。
5.能耗
DDR3的工作電壓是1.5V，而DDR4是1.2V，并且能源節(jié)省高達(dá)40%。
6.性能
在Anandtech的獨(dú)立測試中， DDR4的性能比DDR3略好，但差距很小。
7.價(jià)格
一般新的內(nèi)存類型初上市時(shí)，其價(jià)格都會比較高。
隨著時(shí)間推移，它的價(jià)格會下降到上一代產(chǎn)品的水平，然后大量普及，取代上一代產(chǎn)品。
拓展資料
DDR?又稱雙倍速率SDRAM，Double?Date?Rate?SDRSM?DDR?SDRAM?是一種高速CMOS動態(tài)隨即訪問的內(nèi)存。美國JEDEC?的固態(tài)技術(shù)協(xié)會于2000?年6?月公布了雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)存儲器(DDR?SDRAM)規(guī)范JESD79，?由于它在時(shí)鐘觸發(fā)沿的上下沿都能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，所以即使在133MHz的總線頻率下的帶寬也能達(dá)到2.128GB/s?。
DDR?不支持3.3V?電壓的LVTTL?，而是支持2.5V?的SSTL2標(biāo)準(zhǔn)，它仍然可以沿用現(xiàn)有SDRAM?的生產(chǎn)體系，制造成本比SDRAM?略高一些，但遠(yuǎn)小于Rambus的價(jià)格。DDR存儲器代表著未來能與Rambu?相抗衡的內(nèi)存發(fā)展的一個(gè)方向。
